我们使用 tuyaos zigbee sdk 进行开发，app需要在flash进行数据存储，大概需要4kb的空间，请问如何进行flash的erase，read和，write？（hal_write.h中也没有找到erase函数）
另外，可供app自由使用的flash，起始地址和总长度，对于tlsr8258和phy6225这两个芯片平台来说，分别是多少？
Tuyaos telink 平台：
1.提供了可以给应用使用的裸flash 0xF9000 - 0xFB000 共8K。用户可以使用tal_flash.h中提供的flash读写。
2.需要注意的是擦除函数起始地址需是4K整数倍，一次擦除4k。为了规避断电数据写入不完整等问题，建议数据进行完整性校验。
3.同时提供了user nv的储存空间，两个4K，0xE8000 - 0xEA000，客户写入usr nv 数据底层会做数据校验和备份，因此数据会有校验位等冗余数据，写满4K后会切换到另外一个4k进行写入。用户可以使用tal_nv_flash.h中提供的 tal_kv_flash_read，tal_kv_flash_write等函数进行操作。
sdk telink平台：
1.提供了 0xF9000 - 0xFB000 的裸flash空间给用户使用，用户可以通过 hal_flash.h中的 main_flash_write及main_flash_read 进行操作，建议客户进行完整性校验。
2.同时提供了 拥有完整性校验和数据备份功能的 user_flash_data_write 和 user_flash_data_read 函数，该空间最大为250 bytes，该空间是作为nv的一个item实现的，每次写入需要完整写入250bytes。
可以使用tal_flash.c中的接口也是裸接口。
phy6225暂未使用区域为0x110E8000-0x110F6FFF，但后续NV可能有扩展风险，建议使用时需谨慎，尽量从后往前使用。
phy6225的user flash从0x110E2000-0x110E3FFF，注意tal_kv_flash_write是互为备份的两个4K，由于需要存储ID，offset相关信息，实际能存储的数据小于4096-512个字节。
白芷冉然 2023年 Jan 6日 10:09sdk telink平台：
1.提供了 0xF9000 - 0xFB000 的裸flash空间给用户使用，用户可以通过 hal_flash.h中的 main_flash_write及main_flash_read 进行操作，建议客户进行完整性校验。
2.同时提供了 拥有完整性校验和数据备份功能的 user_flash_data_write 和 user_flash_data_read 函数，该空间最大为250 bytes，该空间是作为nv的一个item实现的，每次写入需要完整写入250bytes。
请问使用zigbee sdk进行操作的话 main_flash_write 给的地址 是不是直接填写 F9000 + 对应的offset？
另外，对0xF9000 - 0xFB000区域进行erase的函数是哪个？
main_flash_write 里面会主动进行数据erase，根据传入的数据data_len,如果<=4k则擦除4K，>4k且<=8k则擦除8K。擦除后从0xF9000开始写入。每次write都会erase，每次都要把之前写进去的数据先读出来调整后再写入