T1-CHL 3.11.11的flash擦除、读写问题
Posted: 2025年 May 22日 16:23
目的：对保留扇区的flash通过flash擦除、写入、读取、flash上锁、解锁接口，适配我们已有的KV管理模块
前提：
1.通过跟技术支持了解到，T1-CHL的保留扇区为：0X1EF0000X1F4000，4KB/扇区，且这部分允许通过原厂接口读写。
2.在写数据之前，我们KV模块都会先检查该地址内容是否为0xffffffff，如果不是，都会做其他相关处理，确保数据可写。
3.之所以没用官方DB模块，是基于2.3.3 CBU固件开发的时候，由于当时启用DB模块后，启动速度变慢，所以就用我们自己的KV库，在保留扇区中适配。
问题：
1.引用tkl_flash.h的API进行操作，写数据后，通过memcmp对写入地址进行校验，数据不匹配。参考如下代码
Code: Select all
/// @brief 写flash
/// @param addr
/// @param pdata
/// @param len
static void fn_write (uint32_t addr,void*pdata,int len)
{
OPERATE_RET ret;
ret = tkl_flash_unlock(addr,len);
if(ret!= OPRT_OK){
ELOG("unlock flash fail,ret:%d",ret);
}
ret = tkl_flash_write(addr,pdata,len);
if(ret!= OPRT_OK){
ELOG("write flash fail,ret:%d",ret);
}
ret = tkl_flash_lock(addr,len);
if(ret!= OPRT_OK){
ELOG("lock flash fail,ret:%d",ret);
}
if(memcmp((void*)addr,pdata,len)!=0){
ELOG("write flash fail,data not equal,addr:%x,len:%d",addr,len);
}
}
/** 打印的日志如下：*/
[ E ]: unlock flash fail,ret:-4
[ E ]: lock flash fail,ret:-4
[ E ]: write flash fail,data not equal,addr:1f0000,len:16
[ E ]: unlock flash fail,ret:-4
[ E ]: lock flash fail,ret:-4
[ E ]: write flash fail,data not equal,addr:1f0010,len:20
[ E ]: unlock flash fail,ret:-4
[ E ]: lock flash fail,ret:-4
[ E ]: write flash fail,data not equal,addr:1f0008,len:4
2.通过T1/driver/flash/flash.h的API，进行读写，同样也是无法读写成功。（无法直接引入该头文件，需要如何引用哈？我直接通过extern 在C文件中声明这几个外部函数）